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电子元器件
SOP-8
SOP-8

WSP4626

​WSP4626是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP4626完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%无卤素(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
功能特点
WSP4626是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。

WSP4626完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%无卤素(EAS),并已通过全功能可靠性认证。


特点:

先进的高单元密度沟槽技术

超低栅极电荷

优异的CdV/dt效应衰减

提供绿色器件选项

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part number      Configu
      ration
TypeVDSVGSID (A)RDS(ON)(mΩ)VGS(th)(v)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSP4626N+PN-Ch20 10 6.7 0.4 0.72 1.2 --21 28 910 230 163 SOP-8
P-Ch-20 12 -4.4 -0.4 -0.68 -1.2 --48 65 1415 134 102