WSP11N10T
WSP11N10T是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSF11N10T符合RoHS和绿色产品要求，拥有100%的环境应力筛选（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSP11N10T是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSF11N10T符合RoHS和绿色产品要求，拥有100%的环境应力筛选（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。
特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
优异的Cdv/dt效应衰减
提供绿色器件选项
应用：
适用于MB/NB/UMPC/VGA设备的高频负载点同步降压转换器
为网络设备或网络应用提供直流电力转换的系统
负载开关
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | RDS(ON)(mΩ) | VGS(th)(v) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSP11N10T | Dual | N-Ch | 100 | 20 | 12 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 70 | 95 | 80 | 115 | 1055 | 58 | 42 | SOP-8 | |||||||||||
