WSP4955
WSP4955是性能卓越的沟槽型双P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4955符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSP4955是性能卓越的沟槽型双P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSP4955符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性认证。
特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
优异的CdV/dt效应衰减
保证100%（EAS）
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | RDS(ON)(mΩ) | VGS(th)(v) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSP4955 | Dual | P-Ch | -30 | 20 | -8 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 15 | 17 | 20 | 23 | 1004 | 204 | 154 | SOP-8 | |||||||||||
