TMC2660两相步进电机驱动器具有行业领先的功能，包括高分辨率微步进，无传感器机械负载测量，负载自适应功率优化，以及低谐振斩波器操作。标准SPI™和STEP/DIR接口，简化沟通。内部集成MOSFET可驱动每个线圈高达2.2A的电机电流（RMS连续）或2.8A RMS峰值电流。内部集成保护和诊断功能支持稳健和可靠运行。高集成度，高能源效率和小型化，适用于低成本的小型化设计，经济高效以及极具竞争力的解决方案。

TMC5130 cDriver™ 是一款面向 3D 打印、安防云台、泵类及其他自动化设备的一体化步进电机驱动与运动控制解决方案。该器件集成 SixPoint™ 硬件加速度曲线生成器、微步插补器、无传感器失速检测技术 StallGuard2™ 以及完全静音的电流控制模式 StealthChop™，专用于驱动双极步进电机。其输出级由低导通电阻（low-R（sub））N 沟道功率 MOSFET 构成全 H 桥，可直接激励电机绕组。在充分散热设计条件下，单路连续输出电流可达 1.4 A。TMC5130 的供电电压范围为 5–46 V，片上提供 SPI 接口用于参数配置与诊断，并兼容传统 STEP/DIR 控制接口。

TMC260C-PA是为实验室自动化、3D 打印、扫描仪和其他自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案。该器件具有集成的微步进索引器、无传感器失速检测技术 StallGuard2™ 和无传感器负载相关电流控制 CoolStep™，旨在驱动双极步进电机。输出驱动器模块由配置为全H桥的低RDSon沟槽场效应晶体管功率MOSFET组成，以驱动电机绕组。

TMC6200是一款大功率栅极驱动芯片 ，用于永磁同步电机伺服或无刷直流电机，使用六个外部 MOSFET 和两个或三个检测电阻，它集成了 12V、24V 或 48V 的 FOC 驱动系统的完整高压部分，包括具有可编程放大功能的在线电流检测放大器。

TMC5041是⼀款集成了SixPoint斜坡控制器、StealthChop静音驱动技术和Spreadcycle高速防抖技术的双轴步进电机驱动芯⽚，适⽤于低噪声、防抖动的应⽤。它提供SPI接⼝和步进/⽅向接口，⽀持1.5A输出电流，适⽤于各种⾃动化和办公设备，如安防、ATM、打印机和实验室⾃动化等。
其输出驱动模块由低导通电阻的N沟道功率MOSFET构成全H桥电路，用于驱动电机绕组。在配备适当散热装置后，TMC5041每路输出最高可驱动1.5A电流，工作电压范围为5至28V。该器件提供用于配置与诊断的SPI接口，以及步进/方向脉冲接口。

MS35776/MS35776A 是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率 MOSFET，长时间工作平均电流可以达到 1.4A，峰值电流 2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。

MS35777是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护以及过温保护。过流保护包括短地保护以及短电源保护。

MS35930 是一款带接口通信的高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片，其集成自动加减速功能和先进的硬件化步进电机驱动程序。芯片内置功率 MOSFET，长时间工作的平均电流可以达到 2A，峰值电流可以达到 2.5A。芯片集成了过温保护、欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护功能。

FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。
FD6187T内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6187T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6187T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6288Q是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6288Q内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288Q内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6288Q内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6288T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6288T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6288T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+600V电压下工作。 FD6636S内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。 FD6636S内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD6636S内置输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。 FD6636S集成过流保护功能，并指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。 FD6636S集成使能关断功能，同时关断六通道输出。

FD2109S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。
FD2109S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电源电压下工作而对功率管产生损坏。
FD2109S内置直通防止保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

FD2103S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。
FD2103S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2103S内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达+250V电压下工作。
FD2203S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2203S内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。
FD2203S内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

FD2607S 是高压、高速半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2607S 内置 VCC 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD2607S 内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。
FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。

FT8215Q1是一款三相内置MOSFET无传感器磁场定向控制直流无刷马达驱动 IC。芯片高度集成，外围元器件少，电机噪声低矩脉动小。GUI 可配置客户电机参数、启动和调速方式，并储存在内置的 EEPROM。调速接口可选择模拟电压、PWM、I2C、CLOCK调节电机转速。集成转速指示功能，可通过FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。控制方式可选择恒转速、恒电流和电压环制。集成过流、欠压、过温、堵转、缺相等多种保护模式，睡眠电流 40μA。

FT8215QA是一款三相内置MOSFET无传感器磁场定向控制直流无刷马达驱动IC。芯片高度集成，外围元器件少，电机噪声低，转矩脉动小。GUI可配置客户电机参数、启动和调速方式，并储存在内置的EEPROM。调速接口可选择模拟电压、PWM、I2C、CLOCK调节电机转速。集成转速指示功能，可通过FG引脚或I2C接口实时读取电机转速。控制方式可选择恒转速、恒电流和电压环控制。集成过流、欠压、过温、堵转、缺相等多种保护模式，睡眠电流40μA。

FT8215是一款三相内置MOSFET无传感器磁场定向控制直流无刷马达驱动IC。芯片高度集成，外围元器件少，电机噪声低，转矩脉动小。GUI可配置客户电机参数、启动和调速方式，并储存在内置的EEPROM。调速接口可选择模拟电压、PWM、I2C、CLOCK调节电机转速。集成转速指示功能，可通过FG引脚或I2C接口实时读取电机转速。控制方式可选择恒转速、恒电流和电压环控制。集成过流、欠压、过温、堵转、缺相等多种保护模式，睡眠电流40μA。

FT3207N是一款三相全集成直流无刷马达驱动IC，内置MOSFET。芯片采用无感正弦驱动，噪声小。可通过外部电阻和电容，配置启动方式、强制换相时间、FG输出模式、正反转、外部PWM输入频率范围等。FT3207N支持短路、过压、堵转和过温保护，具有低功耗模式，睡眠电流低至60μA，适用于低功耗、低噪音要求的笔记本散热场景。

MS35711T/MS35711TE 是一款步进电机控制器， 它使用外部N 沟道 MOSFET 来驱动一个双极步进电机或两个刷式直流电机。MS35711T/MS35711TE 支持全步进到 1/256 步进驱动模式。通过使用自适应消隐时间和包括自动混合衰减模式在内的多种不同的电流衰减模式， 可实现非常平滑的运动过程。电机运动采用标准的 DIR/STEP 控制方法。器件运行通过 一个 SPI 串行接口控制。 输电流（扭矩）、步进模式、衰减模式和堵转检测功能都可以通过 SPI 串行接口进行编程。

WSP3099是具有最高性能的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

​WSE9968A是具有最高性能的T型沟道N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSE9968A符合RoHS和绿色产品要求，具有100%保证的EAS认证和已批准的全功能可靠性。

WSE9968由于其高性能和可靠性，适用于各种需要高效能MOSFET的应用场景，包括但不限于小家电、电源管理、电子设备等。

​WST2002是具有最高性能的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST2002符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

The WST6005 是性能最高的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大部分小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。The WST6005 符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

​WST6008 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST6008 符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

H型是P通道增强模式功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，尤其是电池供电电路。其小巧轻薄的外形节省了PCB上的空间所有器件在电气上是相同的。- 符合RoHS标准

The WST6006 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST6006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

WST3032 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST3032 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

The WST2026 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2026 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

The WST2006 是性能最高的沟道N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

The WST2007 是性能最高的沟道P型栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2007 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

​The WST3078 是性能最高的沟槽N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs），具有极高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关应用和负载切换应用。The WST3078 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

WST2078是具有最高性能的沟槽N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST2078符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

WST05P06是性能最高的沟槽P型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(on)（导通电阻）和门控电流。WST05P06符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

WST3035是一款具有极高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的高单元密度沟槽技术，具有极高的单元密度，从而能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。这使得WST3035非常适合用于大多数同步整流器转换器应用。

​WST2035是具有最高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST2035符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。

WST4044是性能最高的沟槽型双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST4044符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。

WST3392是具有最高性能的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST3392符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。

WST8205是性能最高的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST8205符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。

WST02N20是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，适用于各种电子设备中的电源管理、电机控制、负载开关等领域。

The WST6045 是性能最高的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(on)和栅极电荷。The WST6045 符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。

WST03P10是具有最高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST03P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。

​WST30P06是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST30P06符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。

WST4041 是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST4041 符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并经过全面的功能可靠性认证。

​The WST2307 是性能最高的沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2307 符合RoHS和绿色产品要求，并具有完整的功能可靠性认可。

The WST2333A 是性能最高的、具有极高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，它能为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。The WST2333A 符合RoHS和绿色产品要求，功能齐全，可靠性经过验证。

​WS05N10L是具有最高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WS05N10L满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST02N30是硅N通道增强型VDMOSFETs，采用自对齐平面技术制造，该技术能够减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源切换电路，以实现系统调节和更高的效率。

WST4040是具有极高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，是大多数同步降压转换器应用的最佳选择。WST4040满足RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WST3400是具有最高性能的沟槽N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度（超过3400个栅极/毫米），可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WST3403是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单位面积密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST3403满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST6402是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST6402满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST2337是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST2337满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WST2N7002A是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的晶体管密度，能够为大多数小功率开关和负载切换应用提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST2N7002A满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求，并具有全面的功能可靠性认证。

​WST2304是具有极高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小型功率开关和负载切换应用。WST2304满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WSR45P10是一款性能极高的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)和栅极电荷。WSR45P10符合RoHS和绿色产品要求，并已经通过了完全功能可靠性认证。

​WSR38P10是具有极高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极电荷。WSR38P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过了完全功能可靠性认证。

WSR18P10是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和门控电荷。WSR18P10符合RoHS和绿色产品要求，并通过了完全功能可靠性认证。

WSR98P06是一款高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的Rds(on)（导通电阻）和门控充电能力。WSR98P06符合RoHS和绿色产品要求，拥有100% EAS保证，并已经通过了完全功能可靠性批准。

WSR58P06是一款性能卓越、具有极高单元密度的沟槽P沟道MOSFET。它提供了出色的Roson和栅极充电能力，适用于大多数同步降压转换器应用。WSR58P06符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已经通过了完全功能可靠性批准。

​WSR30N65C系列设备采用先进的Trench Gate Super Junction（沟道超结）技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足工业AC-DC开关电源（SMPS）对于功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换以及工业电源应用的要求。

​WSR10N65F是具有极高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度。它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR10N65F符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并已通过全功能可靠性认证。

这款Power MOSFET采用了Truesemi公司的先进CoolFET技术制造。这项先进技术经过专门设计，旨在最大限度地减少导通状态下的电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合高压、高效率的开关模式电源供应器，以及基于半桥拓扑结构的主动功率因素校正应用。

​WSR22N50F是硅N通道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，该技术可减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路系统，有助于系统的小型化和提高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。

​WSR60N25是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

​WSR25N20G是具有最高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电量。WSR25N20G符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSR25N20是具有最高性能的沟槽N-沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的反向导通门控电阻（RDSON）和栅极充电量。WSR25N20符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSR180N15是具有最高性能的高密度沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。

WSR150N15是具有最高性能的沟道N-型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR150N15符合RoHS（限制使用某些有害物质指令）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WSR180N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N10符合RoHS（栅极驱动器阻抗）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSR140N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR140N10符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSR80N10是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET，适用于多种高电流、高电压处理电路。

WSR180N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极端高密度的单元设计，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N08符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WSR200N08A是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

​WSR140N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度设计，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。

WSR80N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度的设计，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和栅极充电量。WSR80N08符合RoHS和绿色产品要求，具备100% EAS（可能是指某种电气参数或特性的保证）保证功能，并通过了可靠性认证。

WSR130N06PT采用了先进的SGT MOSFET技术，以提供低RDS（ON）、低栅极电荷、快速开关和优秀的雪崩特性。该设备特别设计以增强其鲁棒性，并适用于高压和大电流条件。

​WSR3090是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的Trench技术。它提供了极佳的RDS(ON)和栅极充电能力，适用于大多数同步降压转换器应用。WSR3090满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全面功能可靠性认证。

WS4N65是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高栅极电荷密度的Trench技术，为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电性能。WS4N65满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全面功能可靠性认证。

WSC5N20是一款高性能、高稳定性的N沟道MOSFET，适用于各种电子设备中的电源管理和电机控制等应用。

​WSC15N10是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控电荷。WSC15N10满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSC40N06是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的栅极单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控充电。WSC40N06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSC60N03是一款高性能、低导通电阻、超低栅极电荷的N沟道MOSFET，适用于同步降压转换器和其他开关电源应用。​

​WSL220N08是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)值和栅极充电量。WSL220N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSM180N15是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和栅极充电量。WSM180N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSM340N10G是具有最高性能的沟槽N型氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电特性。WSM340N10G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSM400N06G是具有最高性能的沟槽N型场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极电荷。WSM400N06G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSM350N04是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSM350N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSK290N04G6是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK290N04G6满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSK92P06是具有最高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极充电量。WSK92P06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSK160N15是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK160N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSK150N10是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK150N10满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。

​WSK200N08A是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它提供了大多数同步降压转换器应用所需的极佳RDSON和栅极电荷。WSK200N08A满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。

​WSK140N08是具有极高性能的沟道N型MOSFET，具有极端高的栅密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和门电荷。

​WSK96N08是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON值和栅极充电量。WSK96N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证的全功能可靠性认证。

WSK220N04是高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK220N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过全功能可靠性认证。

​WSK180N04是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了极佳的RDSON和栅极电荷。WSK180N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WSK250N03是性能最高的沟道N型MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量。WSK250N03符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。

​WSK180N03是一款性能极高的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术。它提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量，适用于大多数同步降压转换器应用。此外，WSK180N03还满足了RoHS和绿色产品要求，并具有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。

WSK140N03是高性能的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSK140N03符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。

WSF4022是一款性能卓越、采用高密度沟槽技术的双N-沟道场效应晶体管（MOSFET）。它拥有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rds(on)（导通电阻）和门控电荷。WSF4022符合RoHS和绿色产品要求，并享有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。

WSF6012是性能最高、采用沟槽技术的N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF6012符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。

WSF4012是具有极高性能的N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），拥有极高的单元密度。它能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF4012符合RoHS和绿色产品要求，并享有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。

WSF45P10是性能最高、采用沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET）技术的产品，具有极高的单元密度。它能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF45P10符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全面功能可靠性认证。

WSF35P10是一款高性能的P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它专为同步整流器转换器应用而设计，提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电性能。WSF35P10不仅符合RoHS标准，还是一款绿色产品，同时享有100%的电气应力测试（EAS）保证。

​WSF55P06是具有极高性能的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF55P06符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSF45P06是具有极高性能的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），拥有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF45P06符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSF30P06是性能最高的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF30P06符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSF50P04是一款性能卓越的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF50P04符合RoHS和绿色产品要求，并享有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已经过全功能可靠性认证。

​WSF90P03是一款高性能的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。该器件专为大多数同步整流器转换器应用而设计，能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。

​WSF70P02是一款高密度沟道场效应晶体管（MOSFET），其单元密度极高。该器件专为同步整流器转换器应用而设计，能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。

​WSF2N65是一款高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF2N65符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

​WSR4N65F是一款高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它专为同步整流器转换应用而设计，能够在大多数情况下提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。

WSF07N50是一款硅N通道增强型VDMOSFET，具有显著的特点和优势。

​WSF10N40是一款高性能的N-沟道MOSFET，具有极高的单元密度。它专为同步整流器转换应用而设计，提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。

WSF25N20是一款性能卓越、采用沟槽结构的N型MOSFET，具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF25N20符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

​WSF20N20是一款性能卓越、采用沟槽结构的N型MOSFET，具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF20N20符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

​WSF09N20G是一款性能卓越、采用沟槽结构的N型MOSFET，具有极高的单元密度。它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF09N20G符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

​WSF40N15是一款性能卓越的高压沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF40N15符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

WSF20N15是一款高性能的N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度。专为同步降压转换器应用而设计，提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。

WSF160N10是一款性能卓越、采用沟槽结构的N型MOSFET，具有极高的单元密度。它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF160N10符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

WSF90N10是一款高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF90N10符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

​WSF70N10D采用了先进的SGT MOSFET技术，以提供低RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过特别设计，以获得更好的鲁棒性，并适用于各种应用场合。

WSF50N10是一款高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WSF50N10符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并经过了全功能可靠性认证。

WSF45N10G是一款N沟道增强型MOSFET，适用于各种电力电子应用。

WSF40N10是一款高性能的沟道N型MOSFET，以其极高的单元密度脱颖而出。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电量，特别适用于大多数同步整流器转换器应用。

​WSF3410是一款高性能的沟槽N型MOSFET，专为同步整流器转换器中的广泛应用而设计。该产品以其极高的栅极电荷密度和优化的RDSON（导通电阻）值脱颖而出。

​WSF60120是一款高能效的N-沟道MOSFET，其技术特性显著。该产品拥有极高的栅极电流密度，并附带100% EAS（电气应力测试）保证，确保了产品的可靠性和稳定性。此外，它采用了一项先进的门控充电技术，特别适用于同步整流器转换应用。

​WSF60100是一款高能效的沟槽N型MOSFET，专为高性能应用而设计。该产品凭借其极高的栅极电荷密度、出色的RDS(ON)（导通电阻）以及同步整流器应用中的卓越门控能力，赢得了市场的广泛认可。

​WSF40N06A是具有极高性能的沟槽N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF40N06A符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSF40130是一款采用高密度沟槽MOSFET技术的产品，专为同步整流器转换器应用而设计。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和极低的栅极电荷，非常适合于高效能、低损耗的电力转换需求。

​WSF4060是一款高性能的N型沟道MOSFET，专为同步整流器转换器应用而设计。它采用了先进的高单元密度Trench技术，实现了极高的单元密度，并提供了出色的电气性能。

​WSF30160是具有极高性能的沟槽N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。​WSF30160符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSF30150A是具有极高性能的沟槽N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF30150A​符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSF30150A是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和门电荷。WSF30150A符合RoHS和绿色产品要求，提供100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WSF30100D是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和门电荷。WSF30100D符合RoHS和绿色产品要求，提供100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSF3085是性能最高的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF3085符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

WSF3038是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和门电荷。WSF3038符合RoHS和绿色产品要求，提供100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WSD2010DN25是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2010DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。

​WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。

​WSD2098DN23是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2098DN23符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD2065DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。

​WSD4280DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。

​WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN26符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN24符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN23符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN22符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD2018BDN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018BDN22符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。

​WSD23N10DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD23N10DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD3045DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3045DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD40L48DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD40L48DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30L68DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L68DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD20L75DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD20L75DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD6035DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6035DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD3056DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3056DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD4066ADN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4066ADN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD2022DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD2022DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD28N10DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD28N10DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD6036DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。 WSD6036DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD4050DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4050DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD3070DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3070DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD4048DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4048DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD3067DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3067DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD3023DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3023DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30L88DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L88DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD86P10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD86P10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD90P06DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD90P06DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD50P10ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD50P10ADN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD60P06DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD60P06DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD40L60DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD40L60DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30L120ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD30L120ADN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD30L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD30L120DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD30L90DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L90DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD20L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD20L120DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD46N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD46N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD6056DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6056DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD4078DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4078DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD3048TDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3048TDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD100N15DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD100N15DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD75N12GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD75N12GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD40N10GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40N10GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD80120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80120DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD80130DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80130DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD80100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD75100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD75100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD100N06GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD100N06GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD6070DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6070DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD6040DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6040DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSD40190DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40190DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD40120DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40120DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD4090DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4090DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD4062DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4062DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30350DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD30350DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30300DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD30300DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30150DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30150DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30140DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30140DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD3042DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3042DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD25280DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD25280DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD20100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD20100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSP85N10是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具备极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSP85N10完全符合RoHS和绿色产品标准，保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性测试认证。

​WSP4065是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4065完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6067A是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6067A完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSP4620是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4620完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP4626是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4626完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%无卤素（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6077是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6077符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WSP4077是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4077符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6055是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP4955是性能卓越的沟槽型双P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4955符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性认证。

​WSP4953A是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4953A符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

WSP11N10T是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSF11N10T符合RoHS和绿色产品要求，拥有100%的环境应力筛选（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6956是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。

​WSP4984是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4984符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

​WSP4888是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4888符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

​WSP8212是性能最高的双沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP8212符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且已经通过了全功能可靠性认证。

​WSP9936是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP9936符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

WSP08N15是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP08N15符合RoHS和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

WSP16N10是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP16N10符合RoHS和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

WSP6020是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6020符合RoHS和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

WSP4016是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4016符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

​WSP4430是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP4430符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

​WSP8814是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP8814符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

​WSP2088是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP2088符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

​WSP8810A是一款性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP8810A符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WSP8205是一款性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供极佳的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP8205符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。