WSC40N06
WSC40N06是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的栅极单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控充电。WSC40N06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSC40N06是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的栅极单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控充电。WSC40N06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。
特点：
- 先进的高栅极单元密度Trench技术
- 超低门控充电
- 优秀的CdV/dt效应下降
- 100% EAS保证
- 绿色设备可用
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSC40N06 | Single | N-Ch | 60 | 20 | 50 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 20 | 23 | 23 | 28 | 1680 | 115 | 85 | TO-251 | |||||||||||
引脚配置
