GS8749比较器
GS8749系列是比较器产品，具备低功耗、高速以及内置迟滞功能的特点，专为3V或5V供电的系统进行了优化。该器件展现出高速响应、低功耗、低失调电压、轨到轨输入范围以及开漏输出的优势。其传播延迟为9纳秒（在100mV过驱条件下），而每个比较器的供电电流仅为22微安。
电子元器件
功能特点
GS8749系列是比较器产品，具备低功耗、高速以及内置迟滞功能的特点，专为3V或5V供电的系统进行了优化。该器件展现出高速响应、低功耗、低失调电压、轨到轨输入范围以及开漏输出的优势。其传播延迟为9纳秒（在100mV过驱条件下），而每个比较器的供电电流仅为22微安。内置的输入迟滞功能能够有效避免由内部输入噪声电压引起的输出切换。最大输入失调电压为5毫伏，工作电压范围则在2.7V至5.5V之间。
所有器件均适用于-40℃至+85℃的温度范围。GS8749单比较器提供Green SC70-5和SOT23-5两种封装选项。而GS8750双比较器则提供Green SOP-8和MSOP-8两种封装选择。
综上所述，GS8749系列比较器凭借其出色的性能参数和多样的封装选项，能够满足多种电子设备的设计需求。
特性
快速传播延迟：91ns
22μA（典型值）低功耗
单电源供电范围：+2.7V ~ +5.5V
低失调电压：5mV（最大值）
轨到轨输入和开漏输出
兼容CMOS/TTL逻辑输出
内置迟滞功能，确保干净切换
输入过驱时无相位反转
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
小型封装：
GS8749提供SOT23-5和SC70-5封装
GS8750提供SOP-8和MSOP-8封装
主要参数
| 属性 | 参数值 |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入失调电压(Vos) | 400uV |
| 输入偏置电流(Ib) | 6pA |
| 传播延迟(tpd) | 91ns |
| 滞后电压(Vhys) | 2.6mV |
| 工作电压 | 2.7V~5.5V |
| 输出模式 | CMOS；TTL |
| 每个通道工作电流 | 22uA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
应用说明
尺寸
GS8749系列比较器低功耗、高速，适用于广泛的通用应用场景。其小型封装（如SOT23-5和SC70-5）可节省PCB空间，助力设计更紧凑的电子产品。GS8749系列可直接连接CMOS和TTL逻辑。
电源去耦与布局
GS8749系列支持单电源（2.7V至5.5V）或双电源（±1.35V至±2.75V）供电。单电源模式下，建议在VDD引脚附近放置0.1μF陶瓷电容以优化性能；双电源模式下，VDD和VSS均需分别通过0.1μF陶瓷电容接地。
低静态电流
GS8749系列的典型静态电流为22μA/通道，可显著延长电池寿命，是电池供电系统的理想选择。
工作电压
GS8749系列支持宽输入电压范围（2.7V至5.5V），且全温度规格覆盖-40°C至+85°C。在完整锂离子电池寿命周期内，其性能保持稳定。
轨到轨输入
GS8749系列的输入共模范围可超出电源轨100mV（VSS-0.1V至VDD+0.1V），通过互补输入级实现。正常操作时，输入信号应限制在此范围内。
内部迟滞
高速比较器在输入电压接近阈值时易因噪声或寄生反馈引发振荡。GS8749系列通过集成2.6mV内部迟滞消除此类问题。迟滞通过设置上升和下降触发点差异，确保输入快速脱离线性区，从而避免振荡。
外部迟滞
通过外接电阻可灵活调整迟滞量，进一步抑制输入信号缓慢变化时的输出抖动。
引脚配置
应用领域
