GSV331比较器
GSV331是一款低功耗、高速比较器，内置迟滞功能，专为3V或5V供电系统优化。该器件具有高速响应、低功耗、低失调电压以及轨到轨输入和输出范围。在100mV过驱条件下，传播延迟为70ns，每通道供电电流为46μA。内部输入迟滞可消除由输入噪声电压引起的输出振荡。最大输入失调电压为3mV，工作电压范围为1.8V至5.5V。
电子元器件
功能特点
GSV331是一款低功耗、高速的比较器，具备内部迟滞功能，专为3V或5V供电的系统进行了优化。该器件的特点包括高速响应、低功耗、低失调电压以及轨到轨的输入和输出范围。传播延迟为70纳秒（在100mV过驱条件下），而每个比较器的供电电流为46微安。内置的输入迟滞功能能够消除由内部输入噪声电压引起的输出切换。最大输入失调电压为3毫伏，工作电压范围则在1.8V至5.5V之间。
所有器件均适用于-40℃至+85℃的温度范围。GSV331单比较器提供Green SC70-5和SOT23-5两种封装选项。
综上所述，GSV331比较器凭借其低功耗、高速响应以及灵活的封装选项，非常适合于各种需要高性能比较功能的电子系统。
主要参数
| 属性 | 参数值 |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV |
| 输入偏置电流(Ib) | 6pA |
| 传播延迟(tpd) | 70ns |
| 滞后电压(Vhys) | 9mV |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V |
| 输出模式 | CMOS；TTL |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 每个通道工作电流 | 46uA |
应用说明
尺寸
GSV331比较器低功耗、高速，适用于广泛的通用应用场景。其小型封装（如SOT23-5和SC70-5）可节省PCB空间，助力设计更紧凑的电子产品。GSV331可直接连接CMOS和TTL逻辑。
电源去耦与布局
GSV331支持单电源（1.8V至5.5V）或双电源（±0.9V至±2.75V）供电。单电源模式下，建议在VDD引脚附近放置0.1μF陶瓷电容以优化性能；双电源模式下，VDD和VSS均需分别通过0.1μF陶瓷电容接地。
低静态电流
GSV331的典型静态电流为46μA/通道，可显著延长电池寿命，是电池供电系统的理想选择。
工作电压
GSV331支持宽输入电压范围（1.8V至5.5V），且全温度规格覆盖-40°C至+85°C。在完整锂离子电池寿命周期内，其性能保持稳定。
轨到轨输入
GSV331的输入共模范围可超出电源轨100mV（VSS-0.1V至VDD+0.1V），通过互补输入级实现。正常操作时，输入信号应限制在此范围内。
内部迟滞
高速比较器在输入电压接近阈值时易因噪声或寄生反馈引发振荡。GSV331通过集成6mV内部迟滞消除此类问题。迟滞通过设置上升和下降触发点差异，确保输入快速脱离线性区，从而避免振荡。
引脚配置
应用领域
