WSD27N10DN56
WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
产品特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
优异的CdV/dt效应衰减
100%EAS保证
提供绿色环保型器件选项
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSD27N10DN56 | N+P | N-Ch | 100 | 20 | 18 | 1.3 | 1.8 | 2.5 | 50 | 58 | 60 | 67 | 800 | 120 | 24 | DFN5X6-8 | |||||||||||
| P-Ch | -100 | 20 | -12 | -1.4 | -1.8 | -2.5 | 80 | 100 | 95 | 125 | 1410 | 85 | 60 | ||||||||||||||
