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电子元器件
DFN5X6-8
DFN5X6-8

WSD4048DN56

​WSD4048DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4048DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
功能特点
WSD4048DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。

WSD4048DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。


产品特点:

先进的高单元密度沟槽技术

超低栅极电荷

优异的CdV/dt效应衰减

100%EAS保证

提供绿色环保型器件选项

主要参数
  型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSD4048DN56N+PN-Ch40 20 34 1.5 2.5 14 21 18 25 810 90 60 DFN5X6-8
P-Ch-40 20 -24 -1.5 -2 -2.5 32 38 46 62 1904 108 80 
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