WSF60N06A 60V中压 N沟道 60A大功率MOS管
WSF60N06A采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)（导通电阻），同时具有低栅极电荷。它可用于多种应用场合。
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WSF40N06A 60V中压 N沟道 50A中功率MOS管
WSF40N06A是具有极高性能的沟槽N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF40N06A符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF28N06 60V中压 N沟道 28A中功率MOS管
额定电压：60伏特/28安培 100% UIS + R测试
导通电阻（Rds(on)）：28毫欧姆（典型值）@ Vgs=10伏特，38毫欧姆（典型值）@ Ves=5伏特
提供绿色无铅设备选项（符合RoHS标准）详情/PDF下载 -
WSF40130 40V中压 N沟道 120A超大功率MOS管
WSF40130是一款采用高密度沟槽MOSFET技术的产品，专为同步整流器转换器应用而设计。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和极低的栅极电荷，非常适合于高效能、低损耗的电力转换需求。详情/PDF下载 -
WSF4060 40V中压 N沟道 60A大功率MOS管
WSF4060是一款高性能的N型沟道MOSFET，专为同步整流器转换器应用而设计。它采用了先进的高单元密度Trench技术，实现了极高的单元密度，并提供了出色的电气性能。详情/PDF下载 -
WSF30160 30V低压 N沟道 160A超大功率MOS管
WSF30160是具有极高性能的沟槽N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF30160符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF30150A 30V低压 N沟道 145A超大功率MOS管
WSF30150A是具有极高性能的沟槽N型沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF30150A符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF30150A 30V低压 N沟道 145A超大功率MOS管
WSF30150A是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和门电荷。WSF30150A符合RoHS和绿色产品要求，提供100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF30100D 30V低压 N沟道 100A超大功率MOS管
WSF30100D是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和门电荷。WSF30100D符合RoHS和绿色产品要求，提供100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF3085 30V低压 N沟道 85A大功率MOS管
WSF3085是性能最高的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF3085符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF3038 30V低压 N沟道 38A中功率MOS管
WSF3038是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和门电荷。WSF3038符合RoHS和绿色产品要求，提供100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD1614DN106 20V低压 N沟道 1.4A 小功率MOS管
WSD1614DN采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。详情/PDF下载 -
WSD2010DN25 20V低压 N沟道 11A 中小功率MOS管
WSD2010DN25是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2010DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2067 20V低压 P沟道 3.5A 小功率MOS管
WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。详情/PDF下载 -
WSD2067 20V低压 P沟道 3.5A 小功率MOS管
WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。详情/PDF下载 -
WSD2098DN23 20V低压 N沟道 9.7A 中小功率MOS管
WSD2098DN23是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2098DN23符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2065DN22 20V低压 双P沟道 3.5A小功率MOS管
WSD2065DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。详情/PDF下载 -
WSD4280DN22 15V低压 双P沟道 4.6A小功率MOS管
WSD4280DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。详情/PDF下载 -
WSD4018DN22 40V中压 P沟道 18A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN26符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD8823DN22 20V低压 P沟道 3.4A小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载
