WSD4280DN22 15V低压 双P沟道 4.6A小功率MOS管
WSD4280DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。
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WSD4018DN22 40V中压 P沟道 18A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN26符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD8823DN22 20V低压 P沟道 3.4A小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD1216DN22 12V低压 P沟道 9.4A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN24符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2054DN22 20V低压 双N沟道 5A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN23符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2018DN22 20V低压 N沟道 12A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN22符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2018BDN22 12V低压 N沟道 12.3A中小功率MOS管
WSD2018BDN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018BDN22符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD23N10DN33 100V高压 N+P沟道 12A中小功率MOS管
WSD23N10DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD23N10DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3045DN 30V低压 N+P沟道 18A中小功率MOS管
WSD3045DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3045DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD40L48DN33 40V中压 P沟道 30A中功率MOS管
WSD40L48DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD40L48DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30L68DN33 30V低压 P沟道 68A大功率MOS管
WSD30L68DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L68DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD20L75DN33 20V低压 P沟道 75A大功率MOS管
WSD20L75DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD20L75DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6035DN33 60V中压 双N沟道 40A中功率MOS管
WSD6035DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6035DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3056DN33 30V低压 双N沟道 35A中功率MOS管
WSD3056DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3056DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD4066ADN33 40V中压 双N沟道 14A中小功率MOS管
WSD4066ADN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4066ADN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD2022DN 20V低压 N沟道 22A中功率MOS管
WSD2022DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD2022DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD28N10DN33 100V高压 N沟道 25A中功率MOS管
WSD28N10DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD28N10DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6036DN33 60V中压 N沟道 50A大功率MOS管
WSD6036DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。 WSD6036DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD4050DN33 40V中压 N沟道 50A大功率MOS管
WSD4050DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4050DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3066DN33 30V低压 N沟道 66A大功率MOS管
WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载
