TT8486H 通泰四段式触摸调光芯片
TT8486H 是台湾通泰（TONTEK）推出的**电容式四段触摸调光控制芯片**，采用 SOP-8 贴片封装，专为交流供电的触摸台灯等照明设备设计，通过触摸金属面板即可循环切换亮度档位，外围电路精简，无需复杂调试。
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KPS28010B 单通道光耦 隔离3750V
KPS2801系列为直流输入单通道器件，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SSOP封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750Vrms详情/PDF下载 -
BQ24230RGTR 锂离子电池充电器 电源路径管理IC
bq2423x系列器件是高度集成的锂离子线性充电器和系统电源路径管理器件，适用于空间受限的便携式应用。这些器件可通过USB端口或交流适配器供电，支持25 mA至500 mA的充电电流。具有输入过压保护的高输入电压范围，支持低成本、非稳压适配器。USB输入电流限制精度和启动序列使bq2423x符合USB-IF浪涌电流规范。此外，输入动态电源管理（VIN - DPM）可防止充电器使设计不佳或配置不当的USB电源崩溃。详情/PDF下载 -
PT2470 有刷直流电机驱动芯片（PWM控制）
PT2470器件是一款用于打印机、家电、工业设备及其他小型机器的有刷直流电机驱动器。两个逻辑输入控制H桥驱动器，该驱动器由四个N沟道MOSFET组成，可双向控制电机，峰值电流高达3.6 A。输入可采用脉冲宽度调制（PWM）来控制电机速度，并可选择电流衰减模式详情/PDF下载 -
43650-0315/436500315 Micro-Fit 3.0连接器 3P
Micro-Fit 3.0 垂直插针，间距 3.00mm，单排，3 路，带 PCB 定位销，镀锡，符合灼热丝测试要求，黑色详情/PDF下载 -
PJSD05U06LCFN2 5 V 低电容双向 TVS/ESD 保护二极管
PJSD05U06LCFN2 是 PANJIT（强茂）推出的一款 5 V 低电容双向 TVS/ESD 保护器件，采用超小型 DFN 2L 无引线封装。器件典型结电容仅 0.6 pF，反向漏电流低至 1 µA，在 8/20 µs 波形下可提供 28 W 峰值脉冲功率与 2 A 峰值电流，钳位电压低至 11 V，符合 IEC 61000-4-2 标准 ±15 kV（空气放电）/ ±8 kV（接触放电）的 ESD 防护要求。
凭借极低的电容与漏电，器件在有效抑制静电和浪涌的同时不会影响高速信号完整性，是便携式电子设备中替代多层压敏电阻（MLV）的理想方案。适用于 USB 2.0、SATA、PCI Express、DVI、DisplayPort、手机等高速数据线与电源线的单路保护。详情/PDF下载 -
ADUM226N1BRIZ-RL 5.0 kV RMS 双通道数字隔离器
该系列是ADI基于自研 iCoupler® 磁隔离技术的双通道数字隔离器，集成 CMOS 电路与单片空芯变压器，在传输速度、功耗、稳定性等方面优于传统光耦方案；支持宽电压电平转换，提供多种通道方向与失效安全模式，覆盖工业、汽车等多场景隔离需求。详情/PDF下载 -
GS0104-FR 4位双向电压电平转换器
这款4位非反相转换器是一款双向电压电平转换器，可用于在不同电压系统之间建立数字开关兼容性。它采用两个独立且可配置的电源轨，A端口支持1.2V至5.5V的工作电压并跟随VCCA电源，B端口支持1.2V至5.5V的工作电压并跟随VCCB电源。这使其能够支持较低和较高的逻辑信号电平，并在1.2V、1.8V、2.5V、3.3V和5V电压节点之间提供双向转换能力。当输出使能输入为低电平时，所有输入/输出端口均置于高阻抗状态，从而显著降低电源静态电流消耗。只要VCCA上电，输出使能内部就有一个下拉电流源。为确保在上电或下电期间保持高阻抗状态，输出使能应通过一个下拉电阻连接到地；该电阻的最小值由驱动器的电流源能力决定。详情/PDF下载 -
WSP4882 30V中压 N沟道MOSFET 8A小功率MOS管
WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF38N06 60V中压 N沟道 45A中功率MOS管
WSF38N06是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF38N06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS(能量雪崩耐量)测试,并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6060DN56 60V中压 N沟道 65A大功率MOS管
WSD6060DN56 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD6060DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过完整功能可靠性认证，100% 保证无电迁移失效（EAS）。详情/PDF下载 -
OPA2192IDR 36V 精密 轨到轨输入/输出 运算放大器
OPA192系列（OPA192、OPA2192和OPA4192）是新一代36V e-trim运算放大器。 这些器件具有出色的直流精度和交流性能，包括轨到轨输入/输出、低失调（典型值±5 μV）、低失调漂移（典型值±0.2 μV/℃）和10MHz带宽。 独特的特性，如差分输入电压范围可达电源轨、高输出电流（±65 mA）、高达1 nF的高容性负载驱动能力和高压摆率（20 V/μs），使OPA192成为适用于高压工业应用的强大高性能运算放大器。 OPA192系列运算放大器采用标准封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。详情/PDF下载 -
505066-2022 板对板与背板连接器
板对板与背板连接器详情/PDF下载 -
TL431AN 电压基准芯片
TL431 系列 IC 是三端可调并联稳压器，在全部工作范围内具有保证的热稳定性。该系列 IC 具有非常陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中稳压二极管（齐纳二极管）的理想替代品。 TL431 特别适用于工业类应用。
TL431 精密基准提供一种带隙精度档位：A 档：0.5%。
TL431 的工作温度范围为 –40°C 至 125°C。详情/PDF下载 -
WST4045 40V中压 P沟道 4.3A小功率MOS管
WST4045是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。WST4045符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。详情/PDF下载 -
AOD4185 P沟道 耐压40V 电流40A MOS管
AOD4185/AOI4185采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装卓越的热阻性能,该器件非常适合大电流应用。详情/PDF下载 -
MT6826GT-AKD-R 高速 高精度磁性角度编码器IC
MT6826是新一代基于先进的各向异性磁阻技术的高速高精度角度编码器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区，实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6826在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。详情/PDF下载 -
SA8336 单通道 2.0-16.0V 持续电流 7.0A H 桥驱动芯片
SA8336是为多节电池供电系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车功能。
SA8336内置过流和输出短路保护功能，当通过MOS电流超过限定值时，内部电路关断MOS功率管，切断负载电流。当电流下降到设定值会自动回复，开启MOS功率管。
SA8336内置温度保护功能，当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流。
SA8336具有一个PWM（INA/INB）输入接口，支持与行业标准器件兼容。详情/PDF下载 -
SS34 肖特基二极管 40V 3A 贴片SMC 低正向压降 高浪涌
该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。详情/PDF下载 -
DRV8833PWPR 1.5A 有刷直流电机驱动芯片
DRV8833器件为玩具、打印机和其他机电一体化应用提供双桥电机驱动解决方案。 该器件有两个H桥驱动器，可驱动两个直流有刷电机、一个双极步进电机、螺线管或其他感性负载。 每个H桥的输出驱动模块由配置成H桥的N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥都包含调节或限制绕组电流的电路。 该器件具备带故障输出引脚的内部关断功能，可实现过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，还提供低功耗睡眠模式。 DRV8833采用带PowerPAD的16引脚WQFN封装详情/PDF下载
