WSC80P03
WSC80P03是一款高性能、高稳定性的单P沟道MOS管，适用于各种电子设备中的功率控制电路。
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WSC4N65
WS4N65是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高栅极电荷密度的Trench技术，为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电性能。WS4N65满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSC5N20
WSC5N20是一款高性能、高稳定性的N沟道MOSFET，适用于各种电子设备中的电源管理和电机控制等应用。详情/PDF下载 -
WSC15N10
WSC15N10是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控电荷。WSC15N10满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSC40N06
WSC40N06是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的栅极单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控充电。WSC40N06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSC60N03
WSC60N03是一款高性能、低导通电阻、超低栅极电荷的N沟道MOSFET，适用于同步降压转换器和其他开关电源应用。详情/PDF下载 -
WSL220N08
WSL220N08是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)值和栅极充电量。WSL220N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSM180N15
WSM180N15是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和栅极充电量。WSM180N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSM340N10G
WSM340N10G是具有最高性能的沟槽N型氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电特性。WSM340N10G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSM400N06G
WSM400N06G是具有最高性能的沟槽N型场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极电荷。WSM400N06G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSM350N04
WSM350N04是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSM350N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK290N04G6
WSK290N04G6是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK290N04G6满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK92P06
WSK92P06是具有最高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极充电量。WSK92P06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK160N15
WSK160N15是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK160N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK150N10
WSK150N10是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK150N10满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK200N08A
WSK200N08A是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它提供了大多数同步降压转换器应用所需的极佳RDSON和栅极电荷。WSK200N08A满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK140N08
WSK140N08是具有极高性能的沟道N型MOSFET，具有极端高的栅密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和门电荷。详情/PDF下载 -
WSK96N08
WSK96N08是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON值和栅极充电量。WSK96N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证的全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK140N06
WSK140N06是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应管，适用于多种应用场景。
封装：TO-263 漏源电压（Vdss）：60V 漏极电流（Id）：140A
漏源导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ 栅极电荷（Qg）：90nC
最大耗散功率：107W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C至150°C详情/PDF下载 -
WSK220N04
WSK220N04是高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK220N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载
