WSP6958 60V中压 N 沟道MOSFET 15A小功率 MOS管
WSP6958 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具备极高的单元密度，针对绝大多数同步降压转换器应用，拥有优异的导通电阻\(R_{DSON}\)与栅极电荷特性。
WSP6958 符合 RoHS 及绿色产品规范，100% 经过 EAS（单事件雪崩耐受能力）保障，全功能可靠性认证通过。
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LGS5522 同步升压型两节锂电池充电管理IC
LGS5522是一款适用于两节串联锂离子电池的升压型同步升压充电器。充电电流可通过外部电阻进行设置。该器件具有短路充电、涓流充电、恒流充电和恒压充电四个充电阶段：短路充电可对0V电池进行充电；涓流充电可恢复完全放电的电池；恒流充电可快速为电池充电；恒压充电可确保电池安全充满。它支持唤醒深度放电的电池。当电池充满至8.4V后，充电停止并持续监测电池电压，电压降至8.2V时自动重新开始充电。当移除输入电压后，电池端漏电流为25μA。该器件集成了充电和充满提示以及异常状态指示功能。详情/PDF下载 -
NCE65T540K650V 8A 540mΩ N沟道 MOS管
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。详情/PDF下载 -
GS8722-FR 低压低噪声运算放大器
GS8722-FR具有11MHz的高增益带宽积、9V/μs的压摆率，在5V电压下每个放大器的静态电流为1.1mA。GS872X专为在低电压、低噪声系统中提供最佳性能而设计。它们能在重载情况下实现轨到轨输出摆幅。输入共模电压范围包含地，GS872X的最大输入失调电压为3.5mV。它们在扩展工业温度范围（-40℃至+125℃）内有明确的性能指标。工作电压范围为2.1V至5.5V。GS8721单运放提供绿色SC70 - 5、SOT23 - 5和SOP - 8封装。GS8722双运放提供绿色SOP - 8、MSOP - 8、TSSOP - 8和DFN2*2 - 8封装。GS8724四运放提供绿色SOP - 14和TSSOP - 14封装。详情/PDF下载 -
INA333AIDGKR 仪表放大器 1.8-5.5V 50µA低功耗
INA333 是一款低功耗、高精度的仪表放大器，提供出色的精度。其多功能的三运放设计、小巧的尺寸和低功耗使其非常适合各种便携式应用。通过单个外部电阻可以设置从1到1000之间的任何增益。INA333 设计为使用行业标准的增益公式：G = 1 + (100kΩ/RG)。
INA333 提供非常低的失调电压（25µV，G ≥ 100）、优异的失调电压漂移（0.1 µV/°C，G ≥ 100）和高共模抑制比（在 G ≥ 10 时为100dB）。它可以在低至1.8V（±0.9V）的电源下工作，且静态电流仅为50µA——非常适合电池供电系统。采用自动校准技术以确保在整个扩展工业温度范围内具有出色的精度，INA333 还提供了极低的噪声密度（50 nV/√Hz），该特性一直延伸到直流。详情/PDF下载 -
0915LP15B026E ISM 915MHz频段用 低通滤波器 902-928MHz
0915LP15B026E 是美国 Johanson Technology 生产的高频陶瓷低通滤波器（Low Pass Filter），通带覆盖 902~928MHz 的 ISM 频段，典型用于 915MHz 射频前端。插入损耗最大仅 0.5dB，回波损耗不低于 14dB，对 2 倍频（1830MHz）和 3 倍频（2745MHz）谐波提供至少 30dB 抑制，最大可承受 3W 输入功率，标称阻抗 50Ω。器件采用 2.0×1.25×0.85mm 陶瓷贴片封装（0805 尺寸）、100% 锡端头，工作温度 -40℃~+85℃，符合无铅回流焊要求。后缀 E 表示编带卷装，每盘 4000 只。适用于 ISM 915MHz 频段（如 LoRa/Sigfox 等）射频前端输出滤波与谐波抑制。详情/PDF下载 -
BPW 34 FS 光电二极管 950nm 红外接收 PIN型 带滤光片
BPW 34 FS-Z 是欧司朗（OSRAM Opto Semiconductors）生产的硅 PIN 光电二极管，属于 BPW34 家族的带日光阻挡滤光片（Daylight Blocking Filter）版本，专为 780~1100nm 近红外波段探测设计，峰值灵敏度 950nm。器件采用黑色环氧 DIL SMT 封装，光敏面积 7.02mm²，光电流典型值 50µA（Ee=1mW/cm²，λ=950nm，VR=5V），灵敏度 0.7A/W，响应时间典型仅 20ns。产品认证测试计划基于 AEC-Q102 指南，符合汽车级可靠性要求，并支持无铅回流焊。适用于红外光栅、机器视觉、工业自动化控制和测量调平等场景，通常搭配 940~950nm 红外 LED 使用。详情/PDF下载 -
MD85E33PA1 高压LDO稳压器 40V输入 3.3V输出 300mA 超低静态电流
MD85E33PA1是一款采用CMOS工艺制造的高压（最高40V）超低静态电流低压差线性稳压器（LDO）。它能够提供高达300mA的电流，而静态电流仅为1.5μA。它由基准电压发生器、误差放大器、折返式限流电路、相位补偿电路和驱动晶体管组成。MD85XX专为对超低静态电流（IQ）有严格要求的应用而设计。即使在压差模式下，该器件也能保持低静态电流消耗，从而进一步延长电池使用寿命。在关断或禁用模式下，即使输入电压为40V，器件的静态电流（IQ）也小于100nA，有助于延长电池的储存寿命。详情/PDF下载 -
CI13161 神经网络智能语音芯片
CI13161 是启英泰伦研发的新一代高性能神经网络智能语音芯片，集成了启英泰伦自研 的脑神经网络处理器BNPUV3.5和CPU内核，系统主频可达210MHz，内置高达288KByte的 SRAM，集成PMU电源管理单元和RC振荡器，集成单通道高性能低功耗Audio Codec和多路 UART、IIC、PWM、GPIO 等外围控制接口。CI13161芯片仅需少量电阻电容等外围器件，即可 实现各类智能语音产品硬件方案，性价比极高详情/PDF下载 -
GS8554-SR 零漂移运算放大器 四通道 1.8-5.5V 轨到轨 30µV
GS855X放大器是单/双/四电源、微功耗、零漂移CMOS运算放大器，该放大器带宽为1.8MHz，具备轨到轨输入和输出，单电源工作电压范围为1.8V至5.5V。GS855X采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大小于30μV）和近乎零的温度漂移。每个放大器的静态电源电流低至180μA，输入偏置电流低至20pA，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。详情/PDF下载 -
MAX6675ISA+T 热电偶数字转换器 3-5.5V 12位ADC SPI
MAX6675可进行冷端补偿，并将K型热电偶的信号数字化。数据以12位分辨率、SPI兼容的只读格式输出。 该转换器的温度分辨率为0.25℃，允许的最高读数为+1024℃，在0℃至+700℃的温度范围内，热电偶精度为8 LSB。 MAX6675采用小型8引脚SO封装。 MAX6675是一款精密的热电偶至数字转换器，内置12位模数转换器（ADC）。MAX6675还包含冷端补偿感应和校正、数字控制器、SPI兼容接口及相关控制逻辑。 MAX6675设计用于与外部微控制器（μC）或其他智能设备配合使用，适用于恒温、过程控制或监控应用。详情/PDF下载 -
BAL-NRF02D3 2.4GHz巴伦 50Ω 低插损 蓝牙芯片匹配滤波器
意法半导体（STMicroelectronics）的BAL-NRF02D3是一款超小型巴伦。BAL-NRF02D3集成了匹配网络和谐波滤波器。其匹配阻抗已针对以下 Nordic Semiconductor 电路进行了定制：nRF51422-CEAA、nRF51422-CDAB、nRF51422-CFAC 以及 nRF51822-CEAA、nRF51822-CDAB、nRF51822-CFAC。 BAL-NRF02D3 在非导电玻璃基板上采用了意法半导体的集成无源器件（IPD）技术，优化了射频性能。 BAL-NRF02D3 已在 nRFgo 模块中通过 Nordic Semiconductor 的测试和认证。详情/PDF下载 -
2N2905A PNP三极管 60V 600mA 高速开关晶体管
2N2905A 是 Microsemi（现属 Microchip）生产的 PNP 硅开关晶体管，属于 2N2904 (A)/2N2905 (A) 系列，是 JEDEC 标准注册型号。该系列通过 MIL-PRF-19500/290 军用标准认证，最高可达 JANS 可靠性等级，同时提供 RoHS 合规的商用版本。器件采用金属密封 TO-39（TO-205AD）封装，另有 TO-5 长引线版本，适用于通用高速开关及军工等高可靠应用。详情/PDF下载 -
ESP32-S3R8 乐鑫WiFi+BLE5 SoC 512KB SRAM 8MB
ESP32-S3 是一款基于低功耗 MCU 的片上系统（SoC），集成了 2.4 GHz Wi-Fi 和低功耗蓝牙（Bluetooth LE）。它由高性能双核微处理器（Xtensa 32 位 LX7）、低功耗协处理器、Wi-Fi 基带、低功耗蓝牙基带、射频模块和众多外设组成。详情/PDF下载 -
WSF35N20 200V高压 N沟道 35A中功率MOS管
WSF35N20是高性能SGT N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSF35N20符合RoHS和绿色产品要求,100%通过EAS测试,并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSF40P04 40V中压 P沟道 20A中小功率MOS管
WSF40P04是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保符合EAS标准。详情/PDF下载 -
MAX98357AETE+T 2.5-5.5V I2S数字音频功放 D类 3.2W 免滤波
MAX98357A/MAX98357B是一款易用、低成本的数字脉冲编码调制（PCM）输入D类放大器，具备AB类音频性能和D类效率。数字音频接口可自动识别多达35种不同的PCM和TDM时钟方案，无需编程。此外，它还无需通常用于PCM通信的外部MCLK信号，进一步简化了操作。只需提供电源、LRCLK、BCLK和数字音频信号，即可输出音频！此外，新颖的引脚排列使客户能够使用经济高效的WLP封装，无需昂贵的过孔。 MAX98357A支持I2S数据，MAX98357B支持左对齐数据，数字音频接口具有高度灵活性。两款IC均支持8通道时分复用（TDM）数据。详情/PDF下载 -
IIM-42351 1.71-3.6V三轴加速度计 工业级MEMS传感器 低功耗
IIM-42351 是 TDK InvenSense 推出的面向工业应用的三轴 MEMS 加速度计，采用 2.5×3×0.91mm 的 14 引脚 LGA 微型封装。片内集成 16 位 ADC（FIFO 支持 20 位数据格式）、2KB FIFO、数字温度传感器和可编程数字滤波器，支持 I3C（最高 12.5MHz/25Mbps DDR）、I²C（最高 1MHz）、SPI（最高 24MHz）三种主机接口；VDD/VDDIO 工作电压 1.71~3.6V，工作温度 -40~+105℃。
产品以低噪声（70µg/√Hz）、低功耗（三轴全性能仅 0.3mA）、高输出速率（最高 8kHz）为核心，内置 APEX 运动检测功能（计步、倾斜检测、自由落体、敲击、运动唤醒、显著运动检测），支持 31~50kHz 外部时钟输入以提升 ODR 精度；20,000g 抗冲击，MEMS 结构晶圆级气密封装，适用于倾角检测、平台稳定、机器人等工业场景。详情/PDF下载 -
CC2540F256RHAR 2-3.6V低功耗蓝牙SoC芯片 BLE4.0 256KB Flash
CC2540是一款面向低功耗蓝牙应用的高性价比低功耗真正片上系统，可构建稳定的低功耗蓝牙主节点或从节点，总物料成本极低。它结合了出色的射频收发器、工业标准增强型8051微控制器、系统内可编程闪存、8KB SRAM以及众多强大的支持功能与外设，适用于要求极低功耗的场景，具备多种极低功耗睡眠模式，工作模式之间转换时间短，可进一步降低功耗。产品分为两个版本CC2540F128与CC2540F256，分别配备128KB和256KB闪存，结合低功耗蓝牙协议栈，可构成灵活、高性价比的单模低功耗蓝牙解决方案。详情/PDF下载 -
ATMEGA328P-AU AVR单片机 8位微控制器 TQFP32
高性能、低功耗的Atmel AVR 8位微控制器系列n先进的RISC架构 – 131条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 x 8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在20MHz下最高可达20 MIPS吞吐量 – 片上2周期乘法器n高耐久性的非易失性存储段 – 4/8/16/32KBytes的片内系统自编程Flash程序内存 – 256/512/512/1KBytes EEPROM – 512/1K/1K/2KBytes内部SRAM – 写入/擦除周期:10,000次Flash/100,000次EEPROM – 数据保留时间:85°C下20年/25°C下100年 – 可选的引导代码段，具有独立的锁定位n片内系统编程由片上引导程序实现真正的读写操作n软件安全的编程锁定nAtmel QTouch库支持详情/PDF下载
