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WSD2022DN 20V低压 N沟道 22A中功率MOS管
WSD2022DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD2022DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD28N10DN33 100V高压 N沟道 25A中功率MOS管
WSD28N10DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD28N10DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD6036DN33 60V中压 N沟道 50A大功率MOS管
WSD6036DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。 WSD6036DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD4050DN33 40V中压 N沟道 50A大功率MOS管
WSD4050DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4050DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3066DN33 30V低压 N沟道 66A大功率MOS管
WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3070DN33 25V低压 N沟道 70A大功率MOS管
WSD3070DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3070DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD27N10DN56 100V 高压 N+P 沟道 MOSFET 18A 中小功率 MOS 管
WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD4048DN56 40V 中压 N+P 沟道 MOSFET 34A 中功率 MOS 管
WSD4048DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4048DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3067DN56 30V 低压 N+P 沟道 MOSFET 24A 中功率 MOS 管
WSD3067DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3067DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3023DN56 30V 低压 N+P 沟道 MOSFET 14A 中小功率 MOS 管
WSD3023DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3023DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30L88DN56 30V 低压 双 P 沟道 MOSFET 49A 中功率 MOS 管
WSD30L88DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30L88DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD86P10DN56 100V 高压 P 沟道 MOSFET 86A 大功率 MOS 管
WSD86P10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD86P10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD90P06DN56 60V 中压 P 沟道 MOSFET 90A 大功率 MOS 管
WSD90P06DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD90P06DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD50P10ADN56 100V 高压 P 沟道 MOSFET 40A 中功率 MOS 管
WSD50P10ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD60P06DN56 60V 中压 P 沟道 MOSFET 60A 大功率 MOS 管
WSD60P06DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD60P06DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD40L60DN56 40V 中压 P 沟道 MOSFET 60A 大功率 MOS 管
WSD40L60DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD40L60DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30L120ADN56 30V 低压 P 沟道 MOSFET 120A 超大功率 MOS 管
WSD30L120ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD30L120ADN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30L120DN56 30V 低压 P 沟道 MOSFET 120A 超大功率 MOS 管
WSD30L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD30L90DN56 30V 低压 P 沟道 MOSFET 90A 大功率 MOS 管
WSD30L90DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30L90DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD20L120DN56 20V 低压 P 沟道 MOSFET 120A 超大功率 MOS 管
WSD20L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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