WSD30L88DN56
WSD30L88DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L88DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
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WSD86P10DN56
WSD86P10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD86P10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD90P06DN56
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WSD50P10ADN56
WSD50P10ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD50P10ADN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD60P06DN56
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WSD40L60DN56
WSD40L60DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD40L60DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30L120ADN56
WSD30L120ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
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WSD30L120DN56
WSD30L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
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WSD30L90DN56
WSD30L90DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L90DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD20L120DN56
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WSD20L120DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD46N10DN56
WSD46N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD46N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6056DN56
WSD6056DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6056DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD4078DN56
WSD4078DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4078DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3048TDN56
WSD3048TDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3048TDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD100N15DN56G
WSD100N15DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD100N15DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD75N12GDN56
WSD75N12GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD75N12GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD40N10GDN56
WSD40N10GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40N10GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD80120DN56
WSD80120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80120DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD80130DN56
WSD80130DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80130DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD80100DN56
WSD80100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载
