WSD30150DN56 30V低压 N沟道 150A 超大功率MOS管
WSD30150DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30150DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30140DN56 30V低压 N沟道 85A 大功率MOS管
WSD30140DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30140DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30100DN56 30V低压 N沟道 100A 超大功率MOS管
WSD30100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3042DN56 30V低压 N沟道 40A中功率MOS管
WSD3042DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3042DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD25280DN56G 25V低压 N沟道 280A超大功率MOS管
WSD25280DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD25280DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD20100DN56 20V低压 N沟道 90A 大功率MOS管
WSD20100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD20100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP85N10 100V 高压 N+P 沟道 MOSFET 4.5A 小功率 MOS 管
WSP85N10是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具备极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSP85N10完全符合RoHS和绿色产品标准，保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSP4065 40V 中压 N+P 沟道 MOSFET 10A 中小功率 MOS 管
WSP4065是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4065完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP6067A 60V 中压 N+P 沟道 MOSFET 7A 中小功率 MOS 管
WSP6067A是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6067A完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4620 30V 低压 N+P 沟道 MOSFET 8.8A 中小功率 MOS 管
WSP4620是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4620完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4626 20V 低压 N+P 沟道 MOSFET 6.7A 中小功率 MOS 管
WSP4626是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4626完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%无卤素（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP6077 60V 中压 双 P 沟道 MOSFET 8A 中小功率 MOS 管
WSP6077是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6077符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4077 40V 中压 双 P 沟道 MOSFET 12A 中小功率 MOS 管
WSP4077是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4077符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP6055 55V 中压 双 P 沟道 MOSFET 6.8A 中小功率 MOS 管
WSP6055是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4955 30V 低压 双 P 沟道 MOSFET 8A 中小功率 MOS 管
WSP4955是性能卓越的沟槽型双P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4955符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4953A 20V 低压 双 P 沟道 MOSFET 5.8A 中小功率 MOS 管
WSP4953A是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4953A符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP11N10T 100V 高压 双 N 沟道 MOSFET 12A 中小功率 MOS 管
WSP11N10T是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSF11N10T符合RoHS和绿色产品要求，拥有100%的环境应力筛选（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP6956 60V 中压 双 N 沟道 MOSFET 10A 中小功率 MOS 管
WSP6956是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。详情/PDF下载 -
WSP4984 40V 中压 N 沟道 MOSFET 10A 中小功率 MOS 管
WSP4984是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4984符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4888 30V 低压 双 N 沟道 MOSFET 9.8A 中小功率 MOS 管
WSP4888是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4888符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载
