WST02N20 200V 高压 N 沟道 MOSFET 1.2A 小功率 MOS 管
WST02N20是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，适用于各种电子设备中的电源管理、电机控制、负载开关等领域。
电子元器件
电子元器件
联系我们
销售热线：
13360527304
电子邮箱：
thomas@jointwel.com.cn
深圳公司：
深圳市宝安区宝源路1009号互联网产业基地A区5栋4楼3B02/3B06
长沙公司：
长沙市高新区岳麓西大道588号芯城科技园2栋
杭州公司：
杭州市余杭区祥茂路166号华滋科欣设计创意园4栋
微信二维码
-
详情/PDF下载 -
WST6045 60V 中压 N 沟道 MOSFET 3A 小功率 MOS 管
The WST6045 是性能最高的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(on)和栅极电荷。The WST6045 符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST03P10 100V 高压 P 沟道 MOSFET 3A 小功率 MOS 管
WST03P10是具有最高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST03P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST03P06 60V 中压 P 沟道 MOSFET 3.5A 小功率 MOS 管
WST30P06是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST30P06符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST4041 40V 中压 P 沟道 MOSFET 6A 中小功率 MOS 管
WST4041 是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST4041 符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并经过全面的功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2307 30V 低压 P 沟道 MOSFET 4.2A 小功率 MOS 管
The WST2307 是性能最高的沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2307 符合RoHS和绿色产品要求，并具有完整的功能可靠性认可。详情/PDF下载 -
WST2333A 12V 低压 P 沟道 MOSFET 6A 中小功率 MOS 管
The WST2333A 是性能最高的、具有极高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，它能为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。The WST2333A 符合RoHS和绿色产品要求，功能齐全，可靠性经过验证。详情/PDF下载 -
WST02N20B 200V 高压 N 沟道 MOSFET 1.2A 小功率 MOS 管
WST02N20B是一款高性能、高稳定性的N沟道场效应管，适用于各种电子设备中的电源管理和信号处理电路。详情/PDF下载 -
WST05N10L 100V 高压 N 沟道 MOSFET 3A 小功率 MOS 管
WS05N10L是具有最高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WS05N10L满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST02N30 300V 高压 N 沟道 MOSFET 2A 小功率 MOS 管
WST02N30是硅N通道增强型VDMOSFETs，采用自对齐平面技术制造，该技术能够减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源切换电路，以实现系统调节和更高的效率。详情/PDF下载 -
WST6066 60V 中压 N 沟道 MOSFET 5.2A 中小功率 MOS 管
WST6066是一款高性能的N沟道场效应晶体管，具有优异的电气特性和广泛的应用领域。详情/PDF下载 -
WST4040 40V 中压 N 沟道 MOSFET 5.8A 中小功率 MOS 管
WST4040是具有极高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，是大多数同步降压转换器应用的最佳选择。WST4040满足RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3400 30V 低压 N 沟道 MOSFET 7A 中小功率 MOS 管
WST3400是具有最高性能的沟槽N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度（超过3400个栅极/毫米），可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3403 30V 低压 P 沟道 MOSFET 3.5A 小功率 MOS 管
WST3403是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单位面积密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST3403满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST6402 20V 低压 P 沟道 MOSFET 3.8A 小功率 MOS 管
WST6402是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST6402满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2337 15V 低压 P 沟道 MOSFET 5A 中小功率 MOS 管
WST2337是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST2337满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST02N10A 100V 高压 N 沟道 MOSFET 2A 小功率 MOS 管
WST02N10A是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用。详情/PDF下载 -
WST2N7002A 60V 中压 N 沟道 MOSFET 0.7A 小功率 MOS 管
WST2N7002A是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的晶体管密度，能够为大多数小功率开关和负载切换应用提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST2N7002A满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3400S 30V 低压 N 沟道 MOSFET 5.6A 中小功率 MOS 管
WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求，并具有全面的功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2304 20V 低压 N 沟道 MOSFET 6.3A 中小功率 MOS 管
WST2304是具有极高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小型功率开关和负载切换应用。WST2304满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载
