WSF4N65
WSR4N65F是一款高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它专为同步整流器转换应用而设计，能够在大多数情况下提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
电子元器件
功能特点
WSR4N65F是一款高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它专为同步整流器转换应用而设计，能够在大多数情况下提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
特性
- 先进的沟槽Trench技术：该技术使得WSR4N65F在性能和可靠性方面均表现出色。
- 超低栅极电荷：降低了开关过程中的能量损耗，提高了整体效率。
- 优异的CdV/dt效应下降：在快速电压变化时，WSR4N65F能够很好地抑制由此产生的栅极电流或相关效应，从而实现优秀的性能。
- 绿色设备可用性：符合环保标准，体现了制造商对可持续发展的承诺。
认证与可靠性
- 100% EAS认证：确保了WSR4N65F在电气应力测试方面的可靠性和稳定性。
- 完整的功能可靠性批准：经过全面的测试和评估，WSR4N65F在功能可靠性方面得到了认可。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF4N65 | Single | N-Ch | 650 | 30 | 4 | 2 | 3 | 4 | 2600 | 3000 | - | - | 550 | 46 | 2.3 | TO-252 | |||||||||||
