WSF07N50
WSF07N50是一款硅N通道增强型VDMOSFET，具有显著的特点和优势。
电子元器件
功能特点
WSF07N50是一款硅N通道增强型VDMOSFET，具有显著的特点和优势。
技术特点
- 自对齐平面技术：通过减少导通损失并提升开关性能，该技术为WSF07N50带来了出色的电气性能。
- 广泛应用：这款晶体管适用于各种电源切换电路，有助于实现系统的小型化和更高的能效。
其他优势
- 先进的高密度沟槽技术：进一步增强了WSF07N50的性能和可靠性。
- 低门极电荷率：降低了开关过程中的能量损耗，提高了整体效率。
- 绿色设备可用性：符合环保标准，体现了对可持续发展的承诺。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF07N50 | Single | N-Ch | 500 | 30 | 7 | 2 | 3 | 4 | 1200 | 1500 | - | - | 700 | 94 | 12 | TO-252 | |||||||||||
