WSF70N10D
WSF70N10D采用了先进的SGT MOSFET技术，以提供低RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过特别设计，以获得更好的鲁棒性，并适用于各种应用场合。
电子元器件
功能特点
WSF70N10D采用了先进的SGT MOSFET技术，以提供低RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过特别设计，以获得更好的鲁棒性，并适用于各种应用场合。
特性
- 低RDS(ON)与FOM（导通电阻功率因数）：具有极低的开关损耗。
- 出色的稳定性和均匀性：适用于逆变器。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF70N10D | Single | N-Ch | 100 | 20 | 60 | 1.5 | - | 2.5 | 9 | 10 | 12 | 14 | 1999 | 322 | 7.1 | TO-252 | |||||||||||
