WSF45N10G
WSF45N10G是一款N沟道增强型MOSFET，适用于各种电力电子应用。
电子元器件
功能特点
WSF45N10G是一款N沟道增强型MOSFET，适用于各种电力电子应用。
具有以下特点：
WSF45N10G采用了先进的半导体制造工艺，以实现低导通电阻（RDS(ON)）和高开关速度
经过了严格的测试和筛选，以确保在各种恶劣条件下都能稳定运行
符合RoHS（限制使用某些有害物质）等环保标准
适用于各种电力电子应用，如电源管理、电机控制、逆变器、DC-DC转换器等
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF45N10G | Single | N-Ch | 100 | 20 | 45 | 2 | 3 | 4 | 14.5 | 19.5 | - | - | 1800 | 215 | 42 | TO-252 | |||||||||||
