WSF60120
WSF60120是一款高能效的N-沟道MOSFET，其技术特性显著。该产品拥有极高的栅极电流密度，并附带100% EAS（电气应力测试）保证，确保了产品的可靠性和稳定性。此外，它采用了一项先进的门控充电技术，特别适用于同步整流器转换应用。
电子元器件
功能特点
WSF60120是一款高能效的N-沟道MOSFET，其技术特性显著。该产品拥有极高的栅极电流密度，并附带100% EAS（电气应力测试）保证，确保了产品的可靠性和稳定性。此外，它采用了一项先进的门控充电技术，特别适用于同步整流器转换应用。
主要特点
- 低关断电压：有助于减少能量损耗，提高整体效率。
- 超低关断电流：进一步降低了待机功耗，延长了设备的使用寿命。
- 优秀的反向恢复能力：在反向电压作用下，能够迅速恢复其正常工作状态，提高了系统的稳定性和可靠性。
- 100% EAS保证：产品经过了严格的电气应力测试，确保了其在各种恶劣条件下的稳定性和可靠性。
- 绿色设备可用性：符合环保标准，采用无铅和其他有害物质的制造工艺，体现了对环境的承诺。
应用场景
WSF60120适用于各种需要高效、低损耗电力转换的场合，如电源管理、电池管理系统、DC-DC转换器等。其出色的性能和稳定性使其成为这些应用中的理想选择。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF60120 | Single | N-Ch | 60 | 20 | 110 | 1.2 | - | 2.3 | 3 | 3.6 | 4.4 | 5.4 | 3458 | 1522 | 22 | TO-252 | |||||||||||
