WSF80N06
WSF80N06电子元件采用了先进的VDMOST（垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管）技术，为用户提供了一系列出色的性能特点。
电子元器件
功能特点
WSF80N06电子元件采用了先进的VDMOST（垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管）技术，为用户提供了一系列出色的性能特点。
主要特点
- 低RDS（ON）：导通电阻低，有助于减少能量损耗，提高整体效率。
- 快速开关特性：能够迅速响应开关信号，适用于高频应用。
- 恶劣环境适用性：经过特殊设计和制造，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。
- 高耐久性和适用性：具有出色的耐用性和广泛的适用性，能够满足多种应用需求。
- 低开关损耗：在开关过程中产生的能量损耗较低，有助于提高系统的整体效率。
- 良好的稳定性：在各种工作条件下都能保持稳定的性能输出。
- 良好的兼容性：与晶体管、逆变器等电子元件具有良好的兼容性，方便集成到各种电路中。
应用范围
WSF80N06电子元件适用于多种电子应用领域，包括但不限于电源管理、电机控制、通信设备等。其出色的性能和稳定性使其成为这些领域中的理想选择。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF80N06 | Single | N-Ch | 60 | 20 | 80 | 1 | 1.5 | 3 | 7.2 | 12 | - | - | 3230 | 260 | 180 | TO-252 | |||||||||||
