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电子元器件
TO-252
TO-252

WSF60N06A

​WSF60N06A半导体产品采用了先进的沟槽技术和设计,旨在为用户提供卓越的RDS(on)(导通电阻)性能,并具有低栅极电压降的特点。该产品适用于多种应用领域,能够满足不同的电子设计需求。
功能特点

WSF60N06A半导体产品采用了先进的沟槽技术和设计,旨在为用户提供卓越的RDS(on)(导通电阻)性能,并具有低栅极电压降的特点。该产品适用于多种应用领域,能够满足不同的电子设计需求。


产品优点

  • 高密度电极设计:通过优化电极布局和制造工艺,实现了更高的单元密度,从而提高了产品的性能和可靠性。
  • 全固态和超导体电压、电流稳定性:采用先进的材料和工艺,确保了产品在各种电压和电流条件下的稳定运行。
  • 良好的热沉性能:产品设计考虑了散热需求,通过优化结构和材料选择,提高了产品的热稳定性和使用寿命。
  • 特殊过程技术,以提高ESD能力:采用了特殊的过程技术,增强了产品的静电放电(ESD)承受能力,保护了电路免受静电损伤。


应用领域

WSF60N06A半导体产品适用于各种需要高性能、低损耗和稳定运行的电子应用,如电源管理、电机控制、通信设备等。

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSF60N06ASingleN-Ch60 20 60 12 14 15 20 2498 185 80 TO-252
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