WSF60N06A
WSF60N06A半导体产品采用了先进的沟槽技术和设计,旨在为用户提供卓越的RDS(on)(导通电阻)性能,并具有低栅极电压降的特点。该产品适用于多种应用领域,能够满足不同的电子设计需求。
WSF60N06A半导体产品采用了先进的沟槽技术和设计,旨在为用户提供卓越的RDS(on)(导通电阻)性能,并具有低栅极电压降的特点。该产品适用于多种应用领域,能够满足不同的电子设计需求。
产品优点
特殊过程技术,以提高ESD能力:采用了特殊的过程技术,增强了产品的静电放电(ESD)承受能力,保护了电路免受静电损伤。
应用领域
WSF60N06A半导体产品适用于各种需要高性能、低损耗和稳定运行的电子应用,如电源管理、电机控制、通信设备等。
型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
@10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
(V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
WSF60N06A | Single | N-Ch | 60 | 20 | 60 | 2 | 3 | 4 | 12 | 14 | 15 | 20 | 2498 | 185 | 80 | TO-252 |