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电子元器件
TO-252
TO-252

WSF60N06A

​WSF60N06A采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)(导通电阻),同时具有低栅极电荷。它可用于多种应用场合。
功能特点

WSF60N06A采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)(导通电阻),同时具有低栅极电荷。它可用于多种应用场合。


特性
● 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
● 完全表征的雪崩电压和电流
● 高EAS下的良好稳定性和一致性
● 优良的封装,具有良好的散热性能
● 针对高ESD能力的特殊工艺技术

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSF60N06ASingleN-Ch60 20 60 12 14 15 20 2498 185 80 TO-252