WSF30100D
WSF30100D是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-ch MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson(导通电阻)和门电荷。WSF30100D符合RoHS和绿色产品要求,提供100% EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
WSF30100D符合RoHS和绿色产品要求,提供100% EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
特性
先进的高单元密度沟槽技术
超低门电荷
优秀的CdV/dt效应下降
100% EAS保证
提供绿色设备
型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
@10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
(V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
WSF30100D | Single | N-Ch | 30 | 20 | 100 | 1 | 1.6 | 2.5 | 3.6 | 4.5 | 6.7 | 9.5 | 2100 | 326 | 282 | TO-252 |