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电子元器件
TO-252
TO-252

WSF30100D

​WSF30100D是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-ch MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson(导通电阻)和门电荷。WSF30100D符合RoHS和绿色产品要求,提供100% EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
功能特点
WSF30100D是性能最高的N型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-ch MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson(导通电阻)和门电荷。

WSF30100D符合RoHS和绿色产品要求,提供100% EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。


特性

先进的高单元密度沟槽技术

超低门电荷

优秀的CdV/dt效应下降

100% EAS保证

提供绿色设备

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSF30100DSingleN-Ch30 20 100 1.6 2.5 3.6 4.5 6.7 9.5 2100 326 282 TO-252