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电子元器件
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DFN2X2-6L
DFN2X2-6L

WSD1216DN22

​WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN24符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。
样品申请
功能特点
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSD2018DN24符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。


产品特性

先进的高单元密度沟槽技术

超低栅极电荷

优异的Cdv/dt效应衰减

提供绿色环保型器件

主要参数
  型号配置沟道最大漏
极电压		最大栅源
承受电压		最大漏
源电流		开启阈值电压导通电阻输入
电容		输出
电容		反向传
输电容		封装
Part numberConfigu
ration		TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)VGS(th)(v)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSD1216DN22SingleP-Ch-12 8 -9.4 -0.4 --0.9 15 20 20 27 1400 297 237 DFN2X2-6L

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