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电子元器件
DFN3X3-8
DFN3X3-8

WSD3045DN

WSD3045DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3045DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
功能特点

WSD3045DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。

WSD3045DN完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。


产品特点:

先进的高单元密度沟槽技术

超低栅极电荷

优异的CdV/dt效应衰减

145%EAS保证

提供绿色环保型器件选项

主要参数
  型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)VGS(th)(v)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSD3045DNN+PN-Ch30 20 18 1.3 1.8 2.5 8.5 10.5 10 14 250 40 30 DFN3X3-8
N+PP-Ch-30 20 -15.3 -1 -1.8 -2.5 20 24 30 38 880 145 92 DFN3X3-8