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电子元器件
DFN5X6-8
DFN5X6-8

WSD40120DN56G

​WSD40120DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD40120DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
功能特点
WSD40120DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。

WSD40120DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。


产品特点:

先进的高单元密度沟槽技术

超低栅极电荷

优异的CdV/dt效应衰减

100%EAS保证

提供绿色环保型器件选项

主要参数
  型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSD40120DN56GSingleN-Ch40 20 120 1.2 1.6 2.2 1.4 1.8 2.6 3972 1119 82 DFN5X6-8
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