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电子元器件
DFN1
DFN1

WSD1614DN

WSD1614DN采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
功能特点
WSD1614DN采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。

特征
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装

主要参数
  型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)VGS(th)(v)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSD1614DNSingleN-Ch20 1.4 0.4 --230 -305 43 DFN1.0
X0.6-3L
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