WSD6056DN56
WSD6056DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6056DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
电子元器件
联系我们
销售热线：
13360527304
电子邮箱：
thomas@jointwel.com.cn
深圳公司：
深圳市宝安区宝源路1009号互联网产业基地A区5栋4楼3B02/3B06
长沙公司：
长沙市高新区岳麓西大道588号芯城科技园2栋1507室
东莞工厂：
广东省东莞市虎门镇太宁大板一路3栋2楼202房
微信二维码
-
详情/PDF下载 -
WSD4078DN56
WSD4078DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4078DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3048TDN56
WSD3048TDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3048TDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD100N15DN56G
WSD100N15DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD100N15DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD75N12GDN56
WSD75N12GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD75N12GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD40N10GDN56
WSD40N10GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40N10GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD80120DN56
WSD80120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80120DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD80130DN56
WSD80130DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80130DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD80100DN56
WSD80100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD80100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD75100DN56
WSD75100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD75100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD100N06GDN56
WSD100N06GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD100N06GDN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6070DN56
WSD6070DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6070DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6040DN56
WSD6040DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6040DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD40190DN56G
WSD40190DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40190DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD40120DN56G
WSD40120DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD40120DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD4090DN56
WSD4090DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4090DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD4062DN56
WSD4062DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD4062DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30350DN56G
WSD30350DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD30350DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30300DN56G
WSD30300DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD30300DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30150DN56
WSD30150DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30150DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载
